純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

       碳化硅晶體生長工藝  純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

       碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。

       SiC作為C和Si穩定的化合物，其晶格結構由致密排列的兩個亞晶格組成，每個Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強四面體sp3鍵結合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現象，已經發現SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。